サイリスタパワーモジュール

説明：

サイリスタモジュールは特別なパッケージモードであり、位相制御サイリスタと同じ特性を備えています。サイリスタモジュールも位相制御サイリスタと同じ原理で、3つのPN接合と3つの外部電極を備えた4層材料で構成されたパワー半導体デバイスです。P 型半導体の最初の層からの電極リードはアノード A、P 型の 3 層目からの電極リードは制御電極ゲート G、N 型の 4 層目からの電極リードはカソード - K.静特性、特に動特性が優れているという利点があります。励起、電気メッキ、電気分解、電気溶接、プラズマアーク描画、充放電、電圧安定化に適切に適用されます。AC モーターのソフトスタートや DC モーターの速度調整にも使用できます。

導入：

1. ルナウエレクトロニクス社製サイリスタモジュールのパッケージ構造は、圧縮半田構造となっております。平均電流が160Aを超える場合は、コンプレス構造のサイリスタモジュールを強くお勧めします。
2. 米国の製造規格に基づいて製造されたサイリスタ チップは、低 VTM、低消費電力、高変換効率を備えています。
3. 高い平坦度の DCB および ALN 基板は、サイリスタ チップとの圧縮組み合わせの強度と安定性、優れた熱伝導性、素早い放熱、サージ電流と電圧の高い耐衝撃性を保証します。
4. ベースプレートは絶縁されており、人の安全を保護するために 2500V で絶縁レベルが設定されています。
5. 圧縮構造モジュールのモジュール外観がより美しくなります。小型、軽量で、設置とメンテナンスが簡単です。
6. はんだ構造モジュールよりも寿命、作業効率、特性の性能が優れています。
7. Tシリーズのヨーロピアンモードモジュールパッケージも提供可能です。

技術仕様：

1. RUNAU Electronics 製圧縮構造のサイリスタ モジュール、I 範囲_TAV90Aから1000AおよびVまで_DRM/V_RRM1200Vから4500Vまで。
2. モジュール I の冷却モード_TAV350A未満は空冷、400A以上は用途の要件に応じて空冷または水冷となります。
3. サイリスタ モジュールが安全な状態で正常に動作することを保証するため、負荷特性に加え、定格負荷電流の 2 ～ 3 倍のサイリスタ モジュールの電流を選択することを推奨します。
4. サイリスタ モジュールを空冷ヒートシンクに取り付ける場合、サーマル シリカ グリースをモジュールのベース プレートとヒートシンク表面の間に均等に広げることをお勧めします。熱性能を確保するために、モジュールをヒートシンクに固定する 4 本のボルトの締め付け力は、モジュールのベース プレートとヒートシンクの表面がしっかりと接続されるように均等に締め付ける必要があります。

接続回路

パラメータ:

ワイパック^TMシリーズ高規格サイリスタモジュール

ワイパック^TMシリーズ高標準サイリスタ モジュールには、YA および YC シリーズ チップがパッケージされています。このデバイスは、より高い要件とパフォーマンスを求めるユーザー向けに設計されています。