説明：

角型サイリスタチップはサイリスタチップの一種で、ゲート、カソード、シリコンウエハ、アノードの3つのPN接合を備えた4層半導体構造です。カソード、シリコンウェーハ、アノードはすべて平らで四角い形状です。シリコンウェハの片面に陰極、もう片面に陽極を取り付け、陰極にリード穴を開け、その穴にゲートを配置します。ゲート、カソード、アノードの表面ははんだ材料で裏打ちされています。主な製造プロセスには、シリコンウェーハの洗浄、拡散、酸化、フォトリソグラフィー、腐食、不動態化保護、メタライゼーション、テスト、ダイシングが含まれます。

生産ポートフォリオ:

・ITAV=25A～200A、

・VRRM=1600V

ゲートタイプ:

・三角コーナーゲート：ITAV=25A～60A

• ラウンドセンターゲート: ITAV=110A~200A

構造：

• ダブルメサ

• 金属化アノードは多層​​金属 TiNiAg または Al+TiNiAg です。

• 金属化カソード層は Al または TiNiAg

特徴：

• 分散されたアルミニウム拡散、低いオン状態電圧降下、高い阻止電圧

• 二重負角形状

• パッシベーション保護材料: SIPOS+GLASS+LTO

• 低いILと幅広い用途

• 厚いアルミニウム層と容易な接着

• 優れたトリガーの一貫性