最近、Runau にパワー半導体デバイスの新型シミュレーション設計プラットフォームが設​​立されました。高度なシミュレーション プラットフォームとテストと分析を組み合わせた支援により、デバイス構造と関連する基礎理論に関する徹底的な研究が実り豊かに実施されました。最先端の理論と研究プラットフォームを活用することで、同社は 5 インチ サイリスタ チップ、GTO、IGCT の主要な処理技術を開発し、習得しました。サイリスタ、整流ダイオード、ショットキー モジュール、IGCT、IGBT、高電圧および大電流サイリスタの製造、および超高速リカバリ ダイオードのパイロット テスト プラットフォームの構築のすべてのプロセス能力が、すべて Runau で正常に利用可能になりました。中国におけるパワーエレクトロニクス機器の製造拠点構築に向けて、さらに着実な一歩を踏み出しつつあります。