進行中のイノベーション

最近、Runau にパワー半導体デバイスの新型シミュレーション設計プラットフォームが設​​立されました。高度なシミュレーション プラットフォームとテストと分析を組み合わせた支援により、デバイス構造と関連する基礎理論に関する徹底的な研究が実り豊かに実施されました。最先端の理論と研究プラットフォームを活用することで、同社は 5 インチ サイリスタ チップ、GTO、IGCT の主要な処理技術を開発し、習得しました。サイリスタ、整流ダイオード、ショットキー モジュール、IGCT、IGBT、高電圧および大電流サイリスタの製造、および超高速リカバリ ダイオードのパイロット テスト プラットフォームの構築のすべてのプロセス能力が、すべて Runau で正常に利用可能になりました。中国におけるパワーエレクトロニクス機器の製造拠点構築に向けて、さらに着実な一歩を踏み出しつつあります。

図1変更

プログラマブルコントローラー

写真2変更しました

プラットフォームの研究

ご存知のとおり、中国市場には数十のパワー半導体デバイスがあり、それぞれに独自の特徴と応用分野があります。しかし、超大電力アプリケーションでは、サイリスタ素子は高耐圧でオン電圧降下が小さいという優れた性能を備えているため、他のパワー半導体素子で置き換えることはできません。特に、高出力制御可能な整流装置、高電圧直流送電、機関車の牽引、動的無効電力補償およびその他の用途において、サイリスタの特定の利点と幅広い用途の見通しは広く認識されています。コンバータ機器の電力と容量が継続的に増加し、特に HVDC 送電の急速な発展に伴い、デバイス回路内で直列および並列接続で適用されるサイリスタの数を減らすために、単一のサイリスタの出力電力容量を大幅に増加する必要があります。これにより、デバイスの体積が減少し、小型、軽量、製造コストが削減されるだけでなく、デバイスのブリッジアーム間の電流と電圧の均一化にも有益となり、デバイスの動作の信頼性が大幅に向上します。 。最大限の経済的利益が得られました。したがって、Runau 社は設立以来、常に大容量、高出力、高電圧サイリスタの研究開発と生産を会社の開発戦略の主な方向および最上位の使命として捉えてきました。近年、たゆまぬ努力により技術進歩はめざましく、継続的な成功を収めてきました。


投稿日時: 2020 年 10 月 13 日