高速スイッチ サイリスタ

説明：

位相制御サイリスタと同じ構造と記号を備えた高速スイッチ サイリスタですが、整流、チョッピング、インバータ、周波数変換回路などの高周波用途で求められる静特性、特に動特性の向上が求められます。高速サイリスタの動的パラメータは、速いターンオン速度とターンオン拡大速度、少ない逆回復電荷、短いターンオフ時間、高いオン状態電流の臨界上昇率 (di/dt) と臨界電流の臨界率です。オフ電圧 (dv/dt) の上昇。高速サイリスタの定格電流は、定格周波数内では減少しないか、周波数が増加してもわずかに減少します。

RUNAU Electronics の高速スイッチ サイリスタの製造規格と加工技術は 1980 年代から米国から導入され、中国におけるサイリスタ製造のパイオニアとして、RUNAU の技術チームは 30 年以上にわたり最先端の知識と豊富な製造経験を積んできました。RUNAU Electronics の優秀な技術者は、伝統的な製造プロセスを基礎として、ヨーロッパ製品の利点を備えたサイリスタ製造の最先端技術を開発し、品質と性能が大幅に向上し、パワー エレクトロニクス アプリケーションで大きな成功を収めました。そしてパートナーにとってより多くの価値が生まれました。

導入：

1.チップ

ルナウエレクトロニクス社製のサイリスタチップは焼結合金技術を採用しています。シリコンとモリブデンのウェハは、高真空および高温環境下で純アルミニウム (99.999%) によって合金化するために焼結されました。焼結特性の管理は、サイリスタの品質に影響を与える重要な要素です。RUNAU Electronicsのノウハウは、合金接合深さ、表面平坦性、合金キャビティの管理に加え、完全な拡散技術、リングサークルパターン、特殊なゲート構造を備えています。また、デバイスのキャリア寿命を短縮するために特別な処理が採用され、内部キャリア再結合速度が大幅に加速され、デバイスの逆回復電荷が減少し、その結果スイッチング速度が向上します。このような測定は、高速スイッチング特性、オン状態特性、およびサージ電流特性を最適化するために適用されました。サイリスタの性能と導通動作は信頼性が高く、効率的です。

2. カプセル化

モリブデンウエハと外部パッケージの平面度や平行度を厳密に管理することにより、チップとモリブデンウエハは外部パッケージと緊密かつ完全に一体化されます。これにより、サージ電流と大きな短絡電流に対する耐性が最適化されます。また、電子蒸着技術の測定により、シリコンウェーハ表面に厚いアルミニウム膜が形成され、モリブデン表面にメッキされたルテニウム層が熱疲労耐性を大幅に向上させ、高速スイッチサイリスタの耐用年数が大幅に延長されます。

技術仕様

1. RUNAU Electronics 製合金タイプチップを備えた高速スイッチ サイリスタ、I の範囲_TAV200Aから4000AおよびVまで_DRM/V_RRM1200Vから4500Vまで。
2. I_GT、V_GTそして私_H特に指定のない限り、25℃でのテスト値です。他のパラメータはすべて T でのテスト値です。_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2、tw= 正弦半波電流ベース幅。50Hzでは、²t=0.005I²FSM(A²S);
4. 60Hzの場合：私_FSM(8.3ms)=私_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;私²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

パラメータ: